DTB143EKT146和MUN5111DW1T1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTB143EKT146 MUN5111DW1T1 BCR562

描述 DTB143EK 系列 50 V 500 mA 表面贴装 PNP 数字 晶体管 - SC-59双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor TransistorsPNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 双极性晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SC-88-6 -

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -

额定电流 -500 mA -100 mA -

额定功率 200 mW - -

极性 PNP, P-Channel PNP -

耗散功率 0.2 W 250 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 500mA 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) 47 @50mA, 5V 35 -

最大电流放大倍数(hFE) 47 35 @5mA, 10V -

额定功率(Max) 200 mW - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

增益带宽 200 MHz - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

长度 2.9 mm 2 mm -

宽度 1.6 mm 1.25 mm -

高度 1.1 mm 0.9 mm -

封装 SOT-23-3 SC-88-6 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Contains Lead -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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