MCH6318和RSL020P03TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCH6318 RSL020P03TR

描述 P-channel Silicon MosfetTrans MOSFET P-CH 30V 2A 6Pin TUMT T/R

数据手册 --

制造商 Sanyo Semiconductor (三洋) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 - SOT-363-6

安装方式 - Surface Mount

极性 - -

漏源极电压(Vds) - 30 V

连续漏极电流(Ids) - -

耗散功率 - 1 W

上升时间 - 11 ns

输入电容(Ciss) - 350pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 1 W

下降时间 - 11 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1W (Ta)

封装 - SOT-363-6

长度 - 2 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 0.77 mm

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

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