MAP6KE100A和P6KE100A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MAP6KE100A P6KE100A MAP6KE100ATRE3

描述 85.5V 600W瞬态吸收齐纳 TRANSIENT ABSORPTION ZENERTrans Voltage Suppressor Diode, 600W, 85.5V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, T-18, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

封装 T-18 - -

最大反向电压(Vrrm) 85.5V - -

脉冲峰值功率 600 W - -

最小反向击穿电压 95 V - -

封装 T-18 - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Unknown Active

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

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