IPB03N03LB和IPD70N03S4L-04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB03N03LB IPD70N03S4L-04 IPB034N03L G

描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorMOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  IPB034N03L G  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 30.0 V - -

额定电流 80.0 A - -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 150W (Tc) 68 W 94 W

输入电容 7.62 nF - -

栅电荷 59.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 30A -

输入电容(Ciss) 7624pF @15V(Vds) 3300pF @25V(Vds) 5300pF @15V(Vds)

耗散功率(Max) 150W (Tc) 68W (Tc) 94W (Tc)

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.0036 Ω 2.8 mΩ

阈值电压 - 1.5 V 1 V

上升时间 - - 6.4 ns

额定功率(Max) - 68 W 94 W

下降时间 - - 5.4 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

长度 - 6.5 mm 10 mm

宽度 - 6.22 mm 9.25 mm

高度 - 2.3 mm 4.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司