对比图
描述 10安培肖特基势垒整流器 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER射频与微波晶体管短波单边带应用 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSTRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR, BIP RF Power
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Chassis -
封装 - M164 -
额定电压(DC) - 110 V -
额定电流 - 10.0 A -
击穿电压(集电极-发射极) 55 V 55 V -
增益 14 dB 14 dB -
最小电流放大倍数(hFE) 15 @1.4A, 6V 18 @1.4A, 6V -
额定功率(Max) 233 W 233 W -
封装 - M164 -
工作温度 200℃ (TJ) 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Bulk Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -