对比图
描述 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole
引脚数 3 -
封装 TO-263-3 TO-220
耗散功率 3.13 W 38.0 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
上升时间 - -
输入电容(Ciss) 770pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 3.13 W -
下降时间 - -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3130 mW -
额定电压(DC) -200 V -
额定电流 -7.30 A -
漏源极电阻 690 mΩ 1.50 Ω
极性 P-Channel P-Channel
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 7.30 A 3.5A
长度 10.67 mm -
宽度 9.65 mm -
高度 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-220
产品生命周期 Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 EAR99 EAR99