ATP114-TL-H和TP11的区别_ATP114-TL-H代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 55A,-60V,P沟道MOSFETPower Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.043ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE, ATPAK-3

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) Sanyo Semiconductor (三洋)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 -

封装 TO-252-3 -

无卤素状态 Halogen Free -

通道数 1 -

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.012 Ω -

耗散功率 60 W -

输入电容 4000 pF -

漏源极电压(Vds) 60 V -

上升时间 200 ns -

输入电容(Ciss) 4000pF @20V(Vds) -

额定功率(Max) 60 W -

下降时间 300 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 60W (Tc) -

长度 6.5 mm -

封装 TO-252-3 -

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free -