对比图
型号 IXFN150N10 IXFN200N10P IXFN280N085
描述 Trans MOSFET N-CH 100V 150A 4Pin SOT-227BIXYS SEMICONDUCTOR IXFN200N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 200 A, 100 V, 7.5 mohm, 15 V, 5 VSOT-227B N-CH 85V 280A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Chassis -
引脚数 4 4 4
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 150 A - -
耗散功率 520 W 680 W 700 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 85 V
上升时间 60 ns 35 ns 95 ns
输入电容(Ciss) 9000pF @25V(Vds) 7600pF @25V(Vds) 19000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 680 W 700 W
下降时间 60 ns 90 ns 33 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 520W (Tc) 680W (Tc) 700W (Tc)
通道数 - - 1
漏源极电阻 - 0.0075 Ω 4.4 mΩ
极性 - N-Channel N-CH
漏源击穿电压 - - 85 V
连续漏极电流(Ids) - 200 A 280A
针脚数 - 4 -
阈值电压 - 5 V -
反向恢复时间 - 150 ns -
长度 38.23 mm - 38.23 mm
宽度 25.42 mm - 25.42 mm
高度 9.6 mm - 9.6 mm
封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -