MR20H40CDF和MR20H40DFR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MR20H40CDF MR20H40DFR MR20H40DF

描述 磁阻随机存取存储器 (MRAM) 4Mb 3.3V 50Mhz 512K x 8 SPINVRAM 4Mb 3.3V 50MHz 512K x 8 SPINVRAM MRAM Serial-SPI 4Mbit 3.3V 8Pin DFN EP Tray

数据手册 ---

制造商 Everspin Technologies Everspin Technologies Everspin Technologies

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

耗散功率 0.6 W 0.6 W -

存取时间 20 ns - -

存取时间(Max) 9 ns 9 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V 3 V -

高度 - 0.85 mm 0.85 mm

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

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