IXDD609D2TR和IXDD614D2TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXDD609D2TR IXDD614D2TR

描述 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A14A 5LEAD TO-263 NON INVERTING

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 DFN-8 TO-263-6

上升/下降时间 22ns, 15ns 25ns, 18ns

输出接口数 1 -

输出电流 2 A -

上升时间 22 ns -

输出电流(Max) 9 A -

下降时间 15 ns -

电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 35V

电源电压(Max) 35 V -

电源电压(Min) 4.5 V -

封装 DFN-8 TO-263-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -

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