对比图
型号 AUIRFZ44Z IRFZ44ZPBF FDD5670
描述 INFINEON AUIRFZ44Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 51 A, 55 V, 0.0111 ohm, 10 V, 2 VINFINEON IRFZ44ZPBF 晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 51 A, 55 V, 13.9 mohm, 10 V, 4 VPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
额定功率 80 W 80 W -
通道数 1 - 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0111 Ω 0.0139 Ω 0.012 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 80 W 83 W
阈值电压 2 V 4 V 2.5 V
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 55 V 55 V 60.0 V
连续漏极电流(Ids) 51A 51A 52.0 A
上升时间 68 ns 68 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 1420pF @25V(Vds) 1420pF @25V(Vds) 2739pF @15V(Vds)
下降时间 41 ns 41 ns 24 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 80W (Tc) 83 W
输入电容 - 1420pF @25V 2.74 nF
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 52.0 A
栅电荷 - - 52.0 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) - - 1.6 W
长度 10.67 mm 10.67 mm 6.73 mm
宽度 4.83 mm - 6.22 mm
高度 16.51 mm 8.77 mm 2.39 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99