对比图
型号 2SC2652 SD1731 BLW96
描述 V(cbo): 85V; V(ces): 85V; V(ceo): 55V; V(ebo): 4V; 20A; 300W; silicon NPN epitaxial planar transistor. For 2-30MHz SSB linear power amplifier applicationsRF功率双极晶体管短波单边带应用 RF POWER BIPOLAR TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONSHF/VHF power transistor
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) Philips (飞利浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管二极管
安装方式 - Surface Mount -
封装 - M174 -
额定电压(DC) - 110 V -
额定电流 - 20.0 A -
击穿电压(集电极-发射极) - 55 V -
增益 - 13 dB -
最小电流放大倍数(hFE) - 15 @10A, 6V -
额定功率(Max) - 233 W -
封装 - M174 -
工作温度 - 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown
包装方式 - Box -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -