THS3111CD和THS3111CDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 THS3111CD THS3111CDR THS3111CDG4

描述 单路低噪声高压电流反馈放大器 8-SOIC 0 to 70高速运算放大器 Single Lo-Noise Hi-Vltg Crnt-Feedbck单路低噪声高压电流反馈放大器 8-SOIC 0 to 70

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 4.8 mA 4.8 mA 4.8 mA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 1050 mW 1050 mW 1.05 W

共模抑制比 62dB ~ 68dB - 62 dB

输入补偿漂移 10.0 µV/K - 10.0 µV/K

带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

转换速率 900 V/μs 1.30 kV/μs 900 V/μs

增益频宽积 100 MHz - 100 MHz

输入补偿电压 3 mV 3 mV 3 mV

输入偏置电流 1.5 µA 1.5 µA 1.5 µA

可用通道 S S S

3dB带宽 100 MHz 100 MHz 100 MHz

增益带宽 - - 62 dB

耗散功率(Max) 1050 mW 1050 mW 1050 mW

共模抑制比(Min) 62 dB 62 dB 62 dB

电源电压(Max) 30 V 30 V 30 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.91 mm -

高度 1.58 mm 1.58 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

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