对比图
型号 IRFU024PBF IRLU024ZPBF STD12NF06L-1
描述 功率MOSFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 55V 16A 3Pin(3+Tab) IPAKN沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3
额定电压(DC) - - 60.0 V
额定电流 - - 12.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.1 Ω - 0.06 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 2.5 W 35 W 42.8 W
阈值电压 4 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A - 12.0 A
上升时间 - - 35 ns
输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 380pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 35 W 30 W
下降时间 - - 13 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5 W - 42.8W (Tc)
额定功率 - 35 W -
高度 6.22 mm - 6.2 mm
封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3
长度 6.73 mm - -
宽度 2.39 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 3000 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17