W25Q32FVSSIG和W25Q32FVSSIG TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q32FVSSIG W25Q32FVSSIG TR M25P32-VMW6G

描述 32-Mbit(4M x 8bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6VIC FLASH 32Mbit 104MHz 8SOICNOR Flash Serial-SPI 3.3V 32Mbit 4M x 8Bit 8ns 8Pin SO W Tube

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Micron (镁光)

分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

时钟频率 - - 75 MHz

位数 - - 8

内存容量 - - 4000000 B

存取时间(Max) 8.5 ns - 8 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 20 mA - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 1.8 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

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