JAN1N751DUR-1和JANTXV1N751DUR-1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N751DUR-1 JANTXV1N751DUR-1 1N751DUR-1TR

描述 SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESZener Diode, 5.1V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

容差 ±1 % ±1 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

测试电流 - 20 mA -

稳压值 5.1 V 5.1 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-213AA DO-213AA DO-213AA

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bag -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 -

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