IRF6646和IRF6646TRPBF的区别_IRF6646代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF6646 IRF6646TRPBF IRF6646PBF

描述 Direct-FET N-CH 80V 12AINFINEON IRF6646TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 68 A, 80 V, 0.0076 ohm, 10 V, 4.9 V 新Direct-FET N-CH 80V 12A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 7 7 -

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

安装方式 - Surface Mount -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 2.8 W 89 W -

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 12A 12A 12A

上升时间 20 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 2060pF @25V(Vds) 2060pF @25V(Vds) -

下降时间 12 ns 12 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 2800 mW 2.8W (Ta), 89W (Tc) -

额定功率 - 89 W -

针脚数 - 7 -

漏源极电阻 - 0.0076 Ω -

阈值电压 - 4.9 V -

输入电容 - 2060 pF -

额定功率(Max) - 2.8 W -

长度 6.35 mm 6.35 mm -

宽度 5.05 mm - -

高度 0.7 mm - -

封装 Direct-FET Direct-FET Direct-FET

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -