IXGR24N60CD1和IXGR48N60B3D1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGR24N60CD1 IXGR48N60B3D1

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 150000mW 3Pin(3+Tab) ISOPLUS 247

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247

耗散功率 - 150000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

反向恢复时间 25 ns 100 ns

额定功率(Max) 80 W 150 W

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 150000 mW

封装 ISOPLUS-247 ISOPLUS-247

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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