BC558B和BC558BRL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC558B BC558BRL1G 2N2218A

描述 Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP Silicon小信号双极NPN硅 SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON

数据手册 ---

制造商 Diotec Semiconductor ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92 TO-92-3 TO-39

耗散功率 500 mW 625 mW 800 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW - 800 mW

频率 150 MHz - -

额定功率 500 mW - -

增益频宽积 150 MHz 360 MHz -

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -100 mA -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 180 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 625 mW -

封装 TO-92 TO-92-3 TO-39

长度 - 5.2 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Ammo Pack Tape & Reel (TR) Bag

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -

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