BLF6G10-45,135和BLF6G10-45,112

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF6G10-45,135 BLF6G10-45,112

描述 Trans RF MOSFET N-CH 65V 13A 3Pin CDFM T/RTrans RF MOSFET N-CH 65V 13A 3Pin CDFM Blister

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Ampleon USA

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

封装 SOT-608-3 SOT-608

引脚数 - 3

漏源极电阻 200 mΩ -

漏源击穿电压 65 V -

工作温度(Max) 150 ℃ 225 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃

频率 - 922.5MHz ~ 957.5MHz

输出功率 - 1 W

增益 - 22.5 dB

测试电流 - 350 mA

额定电压 - 65 V

额定电流 - -

长度 20.45 mm -

宽度 10.29 mm -

高度 4.62 mm -

封装 SOT-608-3 SOT-608

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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