MPLAD30KP110A和MXPLAD30KP110A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPLAD30KP110A MXPLAD30KP110A MXPLAD30KP110AE3

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 Uni-Directional TVSTVS 30kW UNIDIRECT PLADTVS 30kW UNIDIRECT PLAD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD SMD SMD

最大反向电压(Vrrm) 110V - -

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 122 V 122 V 122 V

封装 SMD SMD SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free

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