IDT7130LA35PDG和IDT7130SA35C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7130LA35PDG IDT7130SA35C 7130LA35PDG

描述 Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 0.61INCH, 0.19INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, DIP-48HIGH -SPEED 1K ×8双端口静态RAM HIGH-SPEED 1K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM静态随机存取存储器 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-48 DIP PDIP-48

引脚数 - - 48

封装 DIP-48 DIP PDIP-48

长度 - - 61.7 mm

宽度 - - 15.24 mm

高度 - - 3.8 mm

厚度 - - 3.80 mm

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

存取时间 - - 35 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 - - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - - 5.5 V

电源电压(Min) - - 4.5 V

工作温度 - - 0℃ ~ 70℃ (TA)

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