JANTX1N5804和JANTXV1N5804

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5804 JANTXV1N5804 1N5804

描述 Diode Switching Diode 100V 2.5A 2Pin Case G-111整流器效率高, ESP , 2.5安培至20 AMP RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP整流器效率高, ESP , 2.5安培至20 AMP RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 G-111 A, Axial Case A

正向电压 0.875 V 875mV @1A 875mV @1A

反向恢复时间 25 ns 25 ns 25 ns

正向电流 3300 mA 2500 mA 2500 mA

正向电压(Max) - 875mV @1A 875mV @1A

正向电流(Max) 3.3 A 2500 mA 2.5 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

热阻 - - 36 ℃/W

封装 G-111 A, Axial Case A

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

军工级 - Yes -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ - -

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