BCP56,115和BCP56T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCP56,115 BCP56T1G BCP5610TA

描述 Nexperia BCP56,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=80 V, HFE:40, 180 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装ON SEMICONDUCTOR  BCP56T1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 130 MHz, 1.5 W, 1 A, 250 hFETrans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 180 MHz 130 MHz 150 MHz

额定电压(DC) - 80.0 V -

额定电流 - 1.00 A -

针脚数 4 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 650 mW 1.5 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 - 1A -

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 63 @150mA, 2V

额定功率(Max) 960 mW 1.5 W 2 W

直流电流增益(hFE) 63 250 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 960 mW 1.5 W 2000 mW

额定功率 1.35 W - -

最大电流放大倍数(hFE) 63 @5mA, 2V - 63

增益频宽积 - - 125 MHz

长度 6.7 mm 6.5 mm -

宽度 3.7 mm 3.5 mm -

高度 1.7 mm 1.57 mm 1.65 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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