对比图
型号 IRFP460PBF STW20NK50Z STW20NM50FD
描述 N 通道 MOSFET，500V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STW20NM50FD 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 250 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 20.0 A 17.0 A 20.0 A
额定功率 280 W 190 W -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.27 Ω 0.23 Ω 0.25 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 280 W 190 W 214 W
阈值电压 4 V 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 17.0 A 20.0 A
上升时间 59 ns 20 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 1380pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 280 W 190 W 214 W
下降时间 58 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
耗散功率(Max) 280 W 190W (Tc) 214W (Tc)
通道数 - 1 1
输入电容 - 2600 pF -
长度 15.87 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 5.31 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 20.7 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 500 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -
香港进出口证 NLR - NLR
ECCN代码 - EAR99 -