对比图
型号 IXFY4N60P3 IXTY4N60P IXFP4N60P3
描述 DPAK N-CH 600V 4ADPAK N-CH 600V 4AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
漏源极电阻 2.2 Ω - -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 114W (Tc) 89W (Tc) 114W (Tc)
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 4A 4A -
上升时间 24 ns - -
输入电容(Ciss) 365pF @25V(Vds) 635pF @25V(Vds) 365pF @25V(Vds)
下降时间 23 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 114W (Tc) 89W (Tc) 114W (Tc)
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3
长度 - - 10.66 mm
宽度 - - 4.83 mm
高度 - - 16 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 End of Life Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free