IRFR5305PBF和IRFR5305TRRPBF的区别_IRFR5305PBF代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 INFINEON IRFR5305PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 31 A, -55 V, 65 mohm, -10 V, -4 VDPAK P-CH 55V 31A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 -

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 110 W 110W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 31A 31A

上升时间 66 ns 66 ns

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)

下降时间 63 ns 63 ns

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc)

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

通道数 - -

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.065 Ω -

产品系列 - -

阈值电压 4 V -

输入电容 - -

栅电荷 - -

漏源击穿电压 - -

额定功率(Max) 110 W -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

额定功率 89 W -

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm -

高度 2.39 mm -

宽度 6.22 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - -