IDH10S120和IDT02S60C

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDH10S120 IDT02S60C C2D10120A

描述 INFINEON  IDH10S120  二极管, 碳化硅肖特基, SIC, thinQ 2G 1200V系列, 单, 1.2 kV, 10 A, 36 nC, TO-2202ndGeneration的thinQ ! TM SiC肖特基二极管 2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky DiodeZ-Rec™ 碳化硅肖特基二极管,Wolfspeed一系列 Wolfspeed SiC(碳化硅)肖特基二极管相对于标准的肖特基势垒二极管实现了显著改善。 SiC 二极管提供更高的击穿场强度和更高的导热性,在较高的切换频率下可显著减少功率损耗。 SiC 二极管是高效、高压应用(如开关模式电源和高速逆变器)下的完美选择。• 600、650、1200 和 1700 电压额定值 • 零反向恢复电流和正向恢复电压 • 温度独立的切换行为 • 极快的切换时间,损耗最小 • 正温度系数正向电压 • 设备可并联,无需进行热耗散 • 降低了对散热片的要求 • 专为用于 PFC 升压二极管应用进行优化 ### 二极管和整流器,Cree Wolfspeed

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Wolfspeed

分类 TVS二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 - 2

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

正向电压 1.8 V - 1.8V @10A

正向电流 10 A - 14.5 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 58 A - 250 A

正向电压(Max) 840 mV - 3 V

正向电流(Max) 10 A - 25 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

工作结温 - - 175 ℃

工作结温(Max) 175 ℃ - 175 ℃

耗散功率 135 W - -

反向恢复时间 10 ns - -

耗散功率(Max) 135000 mW - -

长度 10.2 mm - 10.41 mm

宽度 4.5 mm - 4.7 mm

高度 9.45 mm - 15.62 mm

封装 TO-220-2 TO-220 TO-220-2

产品生命周期 Obsolete Obsolete Last Time Buy

包装方式 Each Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -

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