2N3440L和JAN2N3440L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3440L JAN2N3440L 2N3440

描述 NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTORTrans Npn 250V 1A To5NPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-205 TO-5 TO-205

耗散功率 - - 0.8 W

击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V 250 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 200 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 800 mW - 800 mW

极性 NPN - -

集电极最大允许电流 1A - -

封装 TO-205 TO-5 TO-205

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

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