IRLL014NTR和STN2NF06L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLL014NTR STN2NF06L IRLL014NTRPBF

描述 SOT-223 N-CH 55V 2.8AN沟道60V - 0.1欧姆 - 2A SOT- 223 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.1 ohm - 2A SOT-223 STripFET⑩ II POWER MOSFETINFINEON  IRLL014NTRPBF  晶体管, MOSFET, HEXFET, N沟道, 2 A, 55 V, 140 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4

额定功率 - - 2.1 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.14 Ω

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 1W (Ta) - 2.1 W

阈值电压 - - 2 V

输入电容 - - 230 pF

漏源极电压(Vds) 55 V - 55 V

连续漏极电流(Ids) 2.00 A - 2.8A

上升时间 4.90 ns - 4.9 ns

输入电容(Ciss) 230pF @25V(Vds) - 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 1 W

下降时间 - - 2.9 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) - 1W (Ta)

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 2.00 A - -

产品系列 IRLL014N - -

长度 - - 6.7 mm

宽度 - - 3.7 mm

高度 - - 1.739 mm

封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 End of Life Unknown Active

包装方式 Tape - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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