LM285BYM-1.2和LM285BYM-1.2/NOPB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM285BYM-1.2 LM285BYM-1.2/NOPB LM285BYMX-1.2/NOPB

描述 微功耗电压基准二极管 Micropower Voltage Reference Diode1.2V 至 2.3V### 电压参考,Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。V-Ref Precision 1.235V 20mA 8Pin SOIC N T/R

数据手册 ---

制造商 National Semiconductor (美国国家半导体) TI (德州仪器) National Semiconductor (美国国家半导体)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

引脚数 - 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

输出电流 - 20 mA 20 mA

输出电压(Max) - 1.235 V 1.235 V

容差 - ±1 % -

输出电压 - 1.235 V -

通道数 - 1 -

输出电压(Min) - 1.235 V -

输出电流(Max) - 20 mA -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

精度 - 1 % -

额定电压 - 1.235 V -

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

温度系数 - ±50 ppm/℃ ±50 ppm/℃

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free PB free

ECCN代码 - EAR99 -

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