IRL3705ZPBF和STP60N55F3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRL3705ZPBF STP60N55F3 IRL3705ZLPBF

描述 N沟道,55V,75A,8mΩ@10VN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 55V 86A 3Pin(3+Tab) TO-262 Tube

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V

额定电流 75.0 A - 86.0 A

漏源极电阻 12 mΩ - 12 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 130 W 110 W 130 W

产品系列 IRL3705Z - IRL3705ZL

输入电容 2880pF @25V - 2880pF @25V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V - 55.0 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A - 75.0 A

上升时间 240 ns 50 ns 240 ns

输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 130 W 110 W 130 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

下降时间 - 11.5 ns -

耗散功率(Max) - 110W (Tc) -

长度 10.66 mm - 10.67 mm

高度 9.02 mm - 9.65 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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