对比图
型号 IXFN26N100P IXFR24N100 IXFE24N100
描述 SOT-227B N-CH 1000V 23AISOPLUS N-CH 1000V 22ATrans MOSFET N-CH 1kV 22A 4Pin ISOPLUS 227
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Chassis Through Hole Surface Mount
引脚数 4 - -
封装 SOT-227-4 TO-247-3 SOT-227-4
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 595W (Tc) 400 W 500 W
漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V
连续漏极电流(Ids) 23A 22.0 A -
上升时间 45 ns 35 ns 35 ns
输入电容(Ciss) 11900pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds) 7000pF @25V(Vds)
下降时间 50 ns 21 ns 21 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 595W (Tc) 416W (Tc) 500W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 390 mΩ 390 mΩ
漏源击穿电压 - 1000 V 1000 V
额定功率(Max) - - 500 W
额定电压(DC) - 1.00 kV -
额定电流 - 22.0 A -
封装 SOT-227-4 TO-247-3 SOT-227-4
长度 - 16.13 mm 38.23 mm
宽度 - 5.21 mm 25.42 mm
高度 - 21.34 mm 9.65 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free