NTD4858NT4G和NTD4906NT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NTD4858NT4G NTD4906NT4G NTD70N03RT4G

描述 70A,25V功率MOSFET54A,30V功率MOSFETON SEMICONDUCTOR  NTD70N03RT4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 75A, D-PAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0062 Ω - 8 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2 W 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) 74.4 W

阈值电压 2.5 V 1.6 V 1.5 V

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 25 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A, 13.6 A - 75.0 A

输入电容(Ciss) 1563pF @12V(Vds) 1932pF @15V(Vds) 1333pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 1.38 W 1.36 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) 1.36W (Ta), 62.5W (Tc)

额定电压(DC) - - 25.0 V

额定电流 - - 70.0 A

漏源击穿电压 - - 25.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

上升时间 - - 1.3 ns

下降时间 - - 5.5 ns

通道数 - 1 -

长度 6.73 mm - -

宽度 6.22 mm - -

高度 2.38 mm - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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