IDT7164S35TP和IDT7164S35TPG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IDT7164S35TP IDT7164S35TPG 8535P

描述 CMOS静态RAM 64K ( 8K ×8位) CMOS STATIC RAM 64K (8K x 8-BIT)CMOS Static RAM 64K (8K x 8Bit)Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, MO-095, DIP-28

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP-28 DIP

安装方式 - Through Hole -

封装 DIP DIP-28 DIP

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tube -

电源电压 - 4.5V ~ 5.5V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -

RoHS标准 - -

含铅标准 - 无铅 -

ECCN代码 - EAR99 -

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