MMBT6520LT1G和NSVMMBT6520LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6520LT1G NSVMMBT6520LT1G MMBT6520LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBT6520LT1G.  双极性晶体管, PNP, -350V, SOT-23双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) High Voltage PNP Bipolar Transistor高压晶体管 High Voltage Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 200 MHz -

额定电压(DC) -350 V - -350 V

额定电流 -500 mA - -500 mA

针脚数 3 - -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 300 mW 0.3 W -

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 200 200 -

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 40 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

长度 3.04 mm - -

宽度 2.64 mm - -

高度 1.11 mm - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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