VN2406L-G和VN2406LZL1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VN2406L-G VN2406LZL1

描述 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 190 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 2 V小信号MOSFET 200毫安, 240伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 240 Volts

数据手册 --

制造商 Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole -

引脚数 3 -

封装 TO-92-3 TO-92

额定功率 1 W -

通道数 1 -

针脚数 3 -

漏源极电阻 6 Ω -

耗散功率 1 W -

阈值电压 2 V -

漏源极电压(Vds) 240 V 240 V

漏源击穿电压 240 V -

上升时间 8 ns -

输入电容(Ciss) 125 pF -

下降时间 24 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1W (Tc) -

极性 - N-CH

连续漏极电流(Ids) - 0.2A

栅源击穿电压 - -

长度 5.21 mm -

宽度 4.19 mm -

高度 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - -

HTS代码 - -

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