对比图
描述 晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 190 mA, 240 V, 6 ohm, 10 V, 2 V小信号MOSFET 200毫安, 240伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 240 Volts
数据手册 --
制造商 Microchip (微芯) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole -
引脚数 3 -
封装 TO-92-3 TO-92
额定功率 1 W -
通道数 1 -
针脚数 3 -
漏源极电阻 6 Ω -
耗散功率 1 W -
阈值电压 2 V -
漏源极电压(Vds) 240 V 240 V
漏源击穿电压 240 V -
上升时间 8 ns -
输入电容(Ciss) 125 pF -
下降时间 24 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ -
工作温度(Min) 55 ℃ -
耗散功率(Max) 1W (Tc) -
极性 - N-CH
连续漏极电流(Ids) - 0.2A
栅源击穿电压 - -
长度 5.21 mm -
宽度 4.19 mm -
高度 5.33 mm -
封装 TO-92-3 TO-92
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Bulk -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - -
HTS代码 - -