对比图
型号 IXTH75N10 STW120NF10 HUF75652G3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXTH75N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 100 V, 20 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STW120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 100 V, 9 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75652G3.. 场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 75.0 A 120 A 75.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.02 Ω 0.009 Ω 0.0067 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 312 W 515 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 110 A 75.0 A
输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 7585pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 312 W 515 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 312W (Tc) 515W (Tc)
输入电容 4.50 nF 5.20 nF -
栅电荷 260 nC 233 nC -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
上升时间 - 90 ns -
下降时间 - 68 ns -
长度 - 15.75 mm 15.87 mm
宽度 - 5.15 mm 4.82 mm
高度 - 20.15 mm 20.82 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99