IS42VM16800E-75BLI和IS45VM16800E-75BLA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42VM16800E-75BLI IS45VM16800E-75BLA1 IS42VM16800H-75BLI

描述 IC SDRAM 128Mbit 133MHz 54BGAIC SDRAM 128Mbit 133MHz 54BGA128m, 1.8V, Mobile Sdram, 8mx16, 133MHz, 54 Ball Bga (8mmx8mm) Rohs, It

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 54 - 54

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

供电电流 - - 55 mA

位数 16 - 16

存取时间 - - 6 ns

存取时间(Max) 8ns, 5.4ns - 7.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 TFBGA-54 TFBGA-54 TFBGA-54

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99

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