KBU8B和GBU8M-E3/45

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KBU8B GBU8M-E3/45 GBU8M-BP

描述 GENESIC SEMICONDUCTOR KBU8B Bridge Rectifier Diode, Single, 100V, 8A, SIP, 1V, 4PinsGBU 系列,Vishay SemiconductorGBU 系列桥式整流器,采用 SIL 印刷电路板安装封装,来自 Vishay Semiconductor玻璃钝化接头 高浪涌电流容量 高箱介电强度 1500Vrms 焊接引脚,用于印刷电路板 (PCB) 通孔安装 ### 认可UL 文件 E54214GBU 1000V 8A

数据手册 ---

制造商 GeneSiC Semiconductor Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 二极管桥式整流器二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 4 4 4

封装 SIP-4 SIP-4 SIP-4

额定电压(DC) - - 1.00 kV

额定电流 - - 8.00 A

电容 - 94.0 pF 60.0 pF

输出电流 - ≤8.00 A ≤8.00 A

正向电压 1V @8A 1V @8A 1 V

最大反向电压(Vrrm) - - 1000V

正向电流 8 A 8 A 8 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 300 A 200 A 200 A

正向电压(Max) 1 V 1 V 1V @4A

正向电流(Max) - - 8 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

长度 - 22.3 mm 22.3 mm

宽度 - 3.56 mm 3.56 mm

高度 - 18.8 mm 18.8 mm

封装 SIP-4 SIP-4 SIP-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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