CY14V101NA-BA45XI和CY14V101NA-BA45XIT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14V101NA-BA45XI CY14V101NA-BA45XIT

描述 1兆位( 128千X 8/64的K× 16 )的nvSRAM无限的读,写和召回周期 1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles1兆位( 128千X 8/64的K× 16 )的nvSRAM无限的读,写和召回周期 1-Mbit (128 K x 8/64 K x 16) nvSRAM Infinite read, write, and recall cycles

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 48 48

封装 FBGA-48 FBGA-48

存取时间 45 ns 45 ns

存取时间(Max) 45 ns 45 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - 52 mA

封装 FBGA-48 FBGA-48

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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