IRF7324D1PBF和IRF7324D1TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7324D1PBF IRF7324D1TRPBF

描述 SOIC P-CH 20V 2.2ASOIC P-CH 20V 2.2A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8

极性 P-CH P-CH

耗散功率 2W (Ta) 2W (Ta)

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 2.2A 2.2A

上升时间 12 ns -

输入电容(Ciss) 260pF @15V(Vds) 260pF @15V(Vds)

下降时间 7.6 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2W (Ta) 2W (Ta)

额定功率(Max) - 2 W

封装 SOIC-8 SOIC-8

材质 Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

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