对比图
描述 高电压功率晶体管绝缘封装应用 High Voltage Power Transistor Isolated Package ApplicationsON SEMICONDUCTOR MJF47G 双极性晶体管
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
频率 - 10 MHz
额定电压(DC) 250 V 250 V
额定电流 1.00 A 1.00 A
针脚数 - 3
极性 NPN NPN
耗散功率 40 W 40 mW
击穿电压(集电极-发射极) 250 V 250 V
集电极最大允许电流 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @300mA, 10V
额定功率(Max) 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) - 10
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW
增益频宽积 10 MHz -
最大电流放大倍数(hFE) 150 -
宽度 4.9 mm 4.9 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.63 mm -
高度 9.24 mm -
材质 - Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99