BUR51和BUR52

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUR51 BUR52 BUT92

描述 大电流NPN硅晶体管 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR大电流NPN硅晶体管 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR快速开关功率晶体管 FAST-SWITCHING POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-204

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 300 V - -

额定电流 60.0 A - -

极性 NPN - -

耗散功率 350 W 350000 mW -

集电极击穿电压 300 V - -

击穿电压(集电极-发射极) 200 V - 250 V

最小电流放大倍数(hFE) 20 @5A, 4V 20 -

额定功率(Max) 350 W - 250 W

额定功率 - - 250 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - - 250000 mW

封装 TO-3 TO-3 TO-204

长度 - 39.5 mm -

宽度 - 26.2 mm -

高度 - 8.7 mm -

工作温度 200℃ (TJ) - 200℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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