IRF7530TR和IRF7530TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7530TR IRF7530TRPBF

描述 Micro N-CH 20V 5.4AINFINEON  IRF7530TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.4 A, 20 V, 0.03 ohm, 4.5 V, 1.2 V 新

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 TSSOP-8 Micro-8

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V

额定电流 5.40 A 5.40 A

极性 N-CH N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 1.30 W 1.3 W

产品系列 IRF7530 IRF7530

阈值电压 - 1.2 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 5.40 A 5.40 A

上升时间 11 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1310pF @15V(Vds) 1310pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W

额定功率 - 1.3 W

通道数 - 2

针脚数 - 8

漏源极电阻 - 0.03 Ω

漏源击穿电压 - 20 V

下降时间 16 ns 16 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.3 W

封装 TSSOP-8 Micro-8

长度 - 3 mm

宽度 - 3 mm

高度 - 0.86 mm

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台