VBT3080S-E3/4W和VBT3080S-E3/8W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VBT3080S-E3/4W VBT3080S-E3/8W

描述 Trench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky RectifierTrench MOS势垒肖特基整流器 Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 功率二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3

正向电压 950mV @30A 950mV @30A

正向电流(Max) - 30 A

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

工作结温 - -55℃ ~ 150℃

封装 TO-263-3 TO-263-3

高度 - 4.83 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free

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