IRLR024NTRPBF和STD20NF06T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR024NTRPBF STD20NF06T4 AOD444

描述 INTERNATIONAL RECTIFIER  IRLR024NTRPBF  场效应管, MOSFET, N沟道STMICROELECTRONICS  STD20NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 24 A, 60 V, 32 mohm, 10 V, 4 V60V,12A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 - 60 W 20 W

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 45 W 60 W 2 W

漏源极电压(Vds) 55 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 24.0 A 12A

上升时间 74.0 ns 30 ns 3.4 ns

输入电容(Ciss) 480pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 540pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 45 W 60 W 20 W

下降时间 - 8 ns 2 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 60W (Tc) 2.1W (Ta), 20W (Tc)

额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -

额定电流 17.0 A 24.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.065 Ω 0.032 Ω -

阈值电压 2 V 4 V -

漏源击穿电压 55 V 60.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

通道数 1 - -

产品系列 IRLR024N - -

输入电容 480pF @25V - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 6.22 mm 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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