对比图
型号 BCP28 BSP62,115
描述 PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington TransistorsNexperia BSP62,115 PNP 达林顿晶体管对, -1 A, Vce=80 V, HFE=1000, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Nexperia (安世)
分类 双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-223 TO-261-4
引脚数 - 4
极性 PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 80 V
集电极最大允许电流 0.5A -
针脚数 - 3
耗散功率 - 1.25 W
最小电流放大倍数(hFE) - 2000 @500mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 1000
额定功率(Max) - 1.25 W
直流电流增益(hFE) - 2000
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
增益带宽 - 200 MHz
耗散功率(Max) - 1250 mW
封装 SOT-223 TO-261-4
长度 - 6.7 mm
宽度 - 3.7 mm
高度 - 1.7 mm
产品生命周期 Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - 无铅
工作温度 - 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99