BC546BRL1G和BC546BTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC546BRL1G BC546BTA BC546CTA

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC546BRL1G  单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 1.5 W, 100 mA, 200 hFEON Semiconductor BC546BTA , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=65 V, HFE:110, 300 MHz, 3引脚 TO-92封装NPN 晶体管,60V 至 100V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 65.0 V - 65.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

极性 NPN - NPN

耗散功率 1.5 W 500 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 500 mW 500 mW

针脚数 3 3 -

直流电流增益(hFE) 200 110 -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

长度 5.2 mm 4.58 mm 4.58 mm

宽度 4.19 mm 3.86 mm 3.86 mm

高度 5.33 mm 4.58 mm 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon -

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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