IXFH22N60P3和IXFV22N60PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH22N60P3 IXFV22N60PS IXFV22N60P

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMDTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-247-3 PLUS-220-SMD-3 TO-220-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) - 600 V 600 V

额定电流 - 22.0 A 22.0 A

通道数 1 1 -

漏源极电阻 0.39 Ω 350 mΩ 350 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 500 W 400 W 400W (Tc)

输入电容 - 3.60 nF 3.60 nF

栅电荷 - 58.0 nC 58.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 22A 22.0 A 22.0 A

上升时间 - 20 ns -

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 400 W -

下降时间 - 23 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

阈值电压 5 V - 5.5 V

针脚数 3 - -

长度 16.26 mm 11 mm -

宽度 5.3 mm 15 mm -

高度 21.46 mm 4.7 mm -

封装 TO-247-3 PLUS-220-SMD-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

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